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電子電路篇之N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體
2020-08-01
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半導(dǎo)體中N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體
在電子電路中半導(dǎo)體是一種非常常見的器件，在這里廣州科譽(yù)電子給大家整理了半導(dǎo)體中常見的兩種類型的制作方法以及它們的區(qū)別。
一.N型半導(dǎo)體是如何制作：
向硅品體中加入極少量的砷。此時(shí),砷進(jìn)行原子結(jié)合需要5個(gè)電子，與之相比硅只需4個(gè)，從而多出1個(gè)電子，此電子在晶體中游動(dòng)。這個(gè)電子因沒有其他電子與之結(jié)合而變得容易移動(dòng)，微小的能量就可使其成為自由電子。此類存在多余自由電子的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體，是一種電子型半導(dǎo)體。
二.P型半導(dǎo)體是如何制作：
在硅晶體中加人銦等3價(jià)原子時(shí)，會(huì)發(fā)生與N型半導(dǎo)體相反的現(xiàn)象。如圖1. 38所示,因?yàn)殇摰膬r(jià)電子為3,與硅結(jié)合時(shí)缺少1個(gè)電子，從而產(chǎn)生空穴拉攏附近的價(jià)電子。此類擁有空穴的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。即空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
三.那這兩種半導(dǎo)體有什么區(qū)別呢？
半導(dǎo)體中有兩種載流子，即價(jià)帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子，以電子導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱之為N型半導(dǎo)體，與之相對(duì)的，以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。
“N”表示負(fù)電的意思，取自英文Negative的第一個(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的 (即導(dǎo)電載體) 主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來(lái)自半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是N型半導(dǎo)體。例如，含有適量五價(jià)元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。 由于N型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故N型半導(dǎo)體呈電中性。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
在P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故呈電中性。P型半導(dǎo)體摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。其空穴主要由雜質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
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